【正确答案】二次击穿现象在发射结正偏压、零偏压和反偏压时都可能发生，其特性曲线参阅教材P17中的图2-16。
   现以零偏压曲线来说明二次击穿现象的发生过程。当U_CE增大到U_SB，即达到A点时．集电极电压达到通常所说的击穿电压，集电结发生雪崩击穿，这就是一次击穿。
   由于一次击穿效应，晶体管的电流迅速上升到A点，达到I_SB，即达到了二次击穿触发功率P_SB，进入了二次击穿区。但并不立即产生二次击穿，而需要一个触发时间来积累触发能量临界值，一旦达到这个临界值，管压突然从A点U_SB沿图示虚线降到低电压区(10～15V)，同时电流将急剧增大。如果没有适当的保护措施，电流将继续沿图示二次击穿线增大，造成管子的永久性损坏。这种从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象，称为晶体管的二次击穿。
   二次击穿触发时间τ，对于不同类型的二次击穿，时间的长短相差很大，短的儿乎是瞬时的，晶体管的状态不能稳定在图示虚线段，一旦到达低电压区，即是不可逆的，即使电路的保护措施可使晶体管回到触发前的状态，但二次击穿已在管子内部留下了损害伤痕,性能变坏，重复几次仍然使管子永久性失效。