【正确答案】在突触传递过程中，发生在后膜上的电位变化称为突触后电位。根据突触后膜发生去极化或超极化，可将突触后电位分为兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。EPSP，即兴奋性突触后电位。其产生过程及相关机理如下：当突触前膜释放的兴奋性递质与突触后膜上受体结合后，使后膜对Na⁺、K⁺等离子，尤其是Na⁺的通透性增高，导致突触后膜除极化产生兴奋性突触后电位(EPSP)，具有局部电位特点。EPSP经过总和，在轴突始段首先达到阈值，产生动作电位，表现为兴奋效应。IPSP，即抑制性突触后电位。当突触前膜释放的抑制性递质与突触后膜上受体结合后，使后膜对Cl^-、K⁺等离子，尤其是Cl^-的通透性增高，导致突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位。IPSP使突触后神经元兴奋性降低，表现为抑制效应。
EPSP与IPSP相同点：二者均为局部电位，可进行时间和空间的总和。
二者的差异如下：

	IPSP	EPSP
突触前神经元	兴奋性	抑制性(中间神经元)
递质	兴奋性	抑制性
突触	兴奋性	抑制性
后膜离子	钠离子(主要)和钾离子	氯离子(主要)和钾离子
后膜电位	去极化	超极化
产生结果	突触后神经元易产生动作电位(必奋)	突触后神经元难产生动作电位(抑制)

清楚掌握两种突触后电位的基本知识及二者异同。另外，EPSP的产生可能还有Ca²⁺的参与。

【答案解析】[考点] EPSP与IPSP的概念、功能； 二者的异同点。