问答题
在一个小的带宽范围内,平均每秒每平方厘米进入硅内的光子数为Q(λ).
【正确答案】电池表面积为A,每秒钟到达电池背面的光子数为
AQ(λ)e-αW
透射引起的光子损耗为
(1-R)AQ(λ)e-αW
式中,R为背面接触处的反射系数.
经背面反射再次来到半导体表面的光子数为
AQ(λ)e-αW·Re-αW
于是,每秒钟总的光子损耗为
AQ(λ)e-αW(1-R)+AQ(λ)e-αW·Re-αW
在λ处的光电流损耗为
△jL(λ)=q[AQ(λ)e-αW(1-R)+AQ(λ)e-αW·Re-αW]/A
=qQ(λ)e-αW[(1-R)+Re-αW]
【答案解析】
【正确答案】已知在海平面总的太阳光子数为4.8×1017cm-2·s-1,于是
Q(λ)=4.8×1017cm-2·s-1×0.5=2.4×1017(cm-2·s-1)
所以
△jL(λ)=1.6×10-19C×2.4×1017cm-2·s-1×[(1-0.8)+0.8e-500×10×10-4]
=2.6×10-2(A/cm2)
【答案解析】