单选题

A．低于体瓷烧结愠度6～8℃
B．高于体瓷烧结温度10℃
C．高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D．形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E．防止磨料成分污染金属表面

单选题金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是

A
B
C
D
E

【正确答案】 E

【答案解析】金属基底冠须均匀朝一个方向磨去一薄层，防止磨料污染金属表面，再经临床试戴后，进行喷砂。经打磨、喷砂的金属帽状冠应进行清洁后才能进行下一步工作。

单选题除气、氧化的方法是

A
B
C
D
E

【正确答案】 D

【答案解析】除气、预氧化后可去除金属表面有机物和释放金属表层气体，并在金屑表面形成一薄层氧化物，以防发生瓷泡，消除一切可能对金-瓷结合产生的不利因素。

单选题用釉粉上釉的烧结温度是

A
B
C
D
E

【正确答案】 A

【答案解析】用釉粉上釉一般以低于体瓷烧结温度6～8℃进行烧结，以保证体瓷不变形。

单选题自身釉烧结的温度是

A
B
C
D
E

【正确答案】 B

【答案解析】若采用体瓷、透明瓷自身上釉，需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。