Flash Memoy是一种非易失性存储器NVM (Non-Volatle Memory)，根据结构的不同可以分为：NOR Flash、NAND Flash。
先擦后写：由于Flash Memory的写操作只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。
操作指令：除了NOR Flash的读，Flash Memory的其他操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。例如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令(NOR Flash)，或者完成一段时序(NAND Flash)才能将数据写入到Flash Memory中。
所以，不正确的是C。