问答题
一个4096位DRAM,存储矩阵采用64行×64位结构。设每个存储单元刷新时间为400ns,问需多少时间才能将全部存储单元刷新一遍。
【正确答案】
DRAM的刷新电路是分行刷新,即一次同时刷新每一行的64位的电路。每个存储单元刷新时间为400ns,这也是刷新一行所需时间,存储矩阵有64行。所以,全部存储单元刷新一遍的时间为64×400ns=25600ns=25.6μs。
【答案解析】
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