单选题   抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括
 
【正确答案】 D
【答案解析】抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl-(为主)和K+的通透性升高,引起Cl-的内流和K+的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。