【正确答案】解：(1)根据“左相反右相同”规则，AB是右旋螺位错，CD是左旋螺位错；根据右手定则，BC是正刃型位错，DA是负刃型位错。 (2)设想在完整晶体中有一个贯穿晶体的上、下表面的正四棱柱，它和滑移面MNPQ交于ABCDA。现让ABCDA上部的柱体相对于下部的柱体滑移b，柱体外的各部分晶体均不滑移。这样，ABCDA就是在滑移面上已滑移区(环内)和未滑移区(环外)的边界，因而是一个位错环。 (3)在切应力作用下，位错环下部晶体的运动方向与b的方向相同。根据右手定则，这种运动必然伴随着位错环的各边向环的外侧运动，从而导致位错环扩大。当位错环滑移出晶体后，滑移面上部晶体相对于下部晶体在反向平行于b的方向上滑移与b大小相同的距离；同时，晶体的左右两个侧面形成两个相反的台阶，台阶的宽度与b的大小相同。 (4)在拉应力的作用下，左侧晶体的运动方向与b的方向相同。根据右手定则，BC位错受力向下，DA位错受力向上，而AB和CD两螺位错不受力。如果拉应力足够大，而且温度足够高，则BC位错向下负攀移，DA位错向上负攀移。由于A、B、C、D四点的钉扎作用，形成了两个B-H位错源，如下图所示。位错源每增殖一个位错环且位错环运动出晶体，晶体中就多一层原子面。所增多的原子面上的原子来自于晶体中其他原子的扩散，同时在晶体中产生相应的空位，因此，虽然晶体形状不变，但y方向的厚度增大。