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高速CMOS的静态功耗
在理想情况下，CMOS电路在非开关状态时没有直流电流从电源Vcc到地，因而器件没有静态功耗。
对所有的CMOS器件，漏电流通常用Icc表示。这是当全部输入端加上Vcc或地电平和全部输出端开路时从Vcc到地的直流电流。
然而，由于半导体本身的特性，在反向偏置的二极管PN结必然存在着微小的漏电流。这些漏电流是由在二极管区域内热产生的载流子造成的，当温度上升时，热产生载流子的数目增加，因而漏电流增大。
对54/74HC系列，在一般手册中均给出了在25℃(室温)、85℃、125℃时的Icc规范值。
Vcc=5V时54/74HC电路的功耗电流表(单位：uA)
温度(℃) 门电路 中规模电路
25 2 8
85 20 80
125 40 160
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(1)将标题段文字(“高速CMOS的静态功耗”)设置为小二号蓝色阳文黑体、居中、字符间距加宽2磅、段后间距0.5行。
(2)将正文各段文字(“在理想情况下……Icc规范值。”)中的中文文字设置为12磅宋体、英文文字设置为12磅Arial字体；将正文第三段(“然而……因而漏电流增大。”)移至第二段(“对所有的CMOS器件……直流电流。”)之前；设置正文各段首行缩进2字符、行距为1.2倍行距。
(3)设置页面上下边距各为3厘米。
(4)将文中最后4行文字转换成一个4行3列的表格；在第2列与第3列之间添加一列，并依次输入该列内容“缓冲器”、“4”、“40”、“80”；设置表格列宽为2.5厘米、行高为0.6厘米、表格居中。
(5)为表格第一行单元格添加黄色底纹；所有表格线设置为1磅红色单实线。