结构推理 兴奋性与抑制性突触后电位的产生过程和原理。
【正确答案】兴奋性突触后电位(EPSP)和抑制性突触后电位(IPSP)均是中枢神经系统实现信息处理的基本机制。过程:首先突触前神经元兴奋→神经冲动传至轴突末梢→膜外Ca2+进入突触小体→突触囊泡向突触前膜靠近、融合、破裂→化学递质释放→使突触后膜产生突触后电位(即EPSP或IPSP)。
   (1) E PSP产生原理:是突触前膜释放兴奋性递质,经突触间隙扩散作用于突触后膜的特异受体,使后膜对Na+、K+、Cl-(尤其是Na+)的通透性增高,导致局部去极化,即EPSP,它以电紧张形式扩布,通过总和作用使膜电位(绝对值)降至阈电位水平,在轴突始段产生扩布性动作电位,表现为突触后神经元兴奋。
   (2) IPSP产生原理:是突触前膜释放抑制性递质,经过扩散与突触后膜受体结合,使后膜对Cl-、 K+(尤其是Cl-)的通透性增高,使其膜电位增大而出现超极化,即IPSP,降低后膜的兴奋性,阻止突触后神经元发生扩布性兴奋,因而出现抑制性效应。
【答案解析】