A1型题
17.
(2006年第21题)下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A、
是局部去极化电位
B、
具有“全或无”性质
C、
是局部超极化电位
D、
由突触前膜递质释放量减少所致
E、
由突触后膜对钠通透性增加所致
【正确答案】
C
【答案解析】
突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制是抑制性中间神经元释放的抑制性递质作用于突触后膜,导致后膜氯通道开放。Cl
-
内流增加,使后膜发生超极化。此外,IPSP的形成还可能与突触后膜钾通道的开放或钠通道和钙通道的关闭有关。
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