问答题
氮化镓GaN是制备白光二极管的材料，其晶体结构为纤锌矿(六方硫化锌)型。N的电负性为3.07，Ga的电负性为1.76；N3-的离子半径为0.148mm，Ca3+的离子半径为0.047nm。
问答题
画出这种结构的晶胞。
【正确答案】如图7-3所示。
【答案解析】
问答题
结构中，负离子构成哪种堆积?用四轴表示法写出密排晶面。
【正确答案】结构中，负离子构成ABAB六方堆积，密排晶面为(0001)。
【答案解析】
问答题
分析Ga和N之间的键性，说明结构中各离子配位数是否合理。
【正确答案】Ga和N之间的键性由电负性差值决定
△x=3.07-1.76=1.31＜1.7，GaN为共价键
配位数由正负离子半径比决定
R+/R-=0.047/0.148=0.318
0.225＜R+/R-＜0.414
CN(Ga3+)=4，CN(N3-)=4，配位数合理。
△x=3.07-1.76=1.31＜1.7，GaN为共价键
配位数由正负离子半径比决定
R+/R-=0.047/0.148=0.318
0.225＜R+/R-＜0.414
CN(Ga3+)=4，CN(N3-)=4，配位数合理。
【答案解析】
问答题
计算结构是否符合静电价规则。
【正确答案】一个N3-与4个Ga3+相联：[*]，符合静电价规则。
【答案解析】
问答题
Ga填充的是哪种空隙?填充了多少这种空隙?
【正确答案】Ga填充的是四面体空隙，填充了负离子空隙的一半。
【答案解析】