问答题 有一个16K×16K位的存储器，由1K×4位的DRAM芯片(内部结构为64×16，引脚同SRAM)构成，问：
(1)采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少?
(2)如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?设读/写周期为0.1μs，死时间率是多少?
【正确答案】
【答案解析】采用异步刷新方式，在2ms时间内分散地把芯片64行刷新一遍，故刷新信号的时间间隔为2ms/64=31.25μs。即可取刷新信号周期为30μs。
如采用集中刷新方式，假定T为读/写周期，如果16组同时进行刷新，则所需刷新时间为64T。因为T单位为0.1μs，2ms=2000μs，则死时间率为64T/2000×100%=0.32%。