填空题 GAL器件的主要特点是 1、 2、 3、 4。
  • 1、
  • 2、
  • 3、
  • 4、
【正确答案】 1、高速电擦工艺制造,    2、具有CMOS低功耗特性,    3、速度和TTL可编程器件相当,    4、具有速度宏单元OLMC    
【答案解析】