问答题
说明MOS结构从深耗尽状态到热平衡状态的物理过程.
【正确答案】
在深耗尽状态耗尽层内将产生电子空穴对.在耗尽层电场作用下,电子向半导体表面漂移,空穴向半导体体内漂移,进入体内的空穴中和电离受主使耗尽层变窄.电子向半导体表面漂移使表面电子浓度不断增加引起电子从表面向体内扩散,同时抵制电子向半导体表面的漂移.结果是漂移不断减弱,扩散不断加强,最终达到漂移流和扩散流相等的动杰平衡.
【答案解析】
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