结构推理 已知电路中晶体管类型及各极的直流电位分别为下列各组数据：
   (1)PNP管，UB=-0.2V，UC=-3V，UE=0V；
   (2)NPN管，UB=0.7V，UC=0.3V，UE=0V；
   (3)NJFET管，UC=-4.8V，US=-2V，UD=5V，UGS(off)=-3V；
   (4)增强型PMOSFET管，UG=-4.8V，US=UB=0.2V，UD=-7V，UGS(th)=-3V：
   (5)耗尽型PMOSFET管，UG=1V，US=UB=0V，Ud=-10V，UGS(off)=3V。
   试确定各组数据所对应的晶体管工作于特性曲线的何种区域，对工作于放大区域的BJT，指明管子材料；对FET指明对应的沟道状态。
【正确答案】本题考查对双极型晶体管(BJT)与场效应管(FET)工作状态的分析。
   对BJT：发射结正向偏置、集电结反向偏置时处于放大状态；发射结、集电结均正向偏置时处于饱和状态；发射结、集电结均反向偏置时处于截止状态。对于FET：情况稍复杂些。在确定各极电压极性符合要求后，首先区分是耗尽型管还是增强型管。对于耗尽型FET，存在重要参数UGS(off)。比较UGS与UGS(off)大小，一旦比较结果确定沟道夹断，则管子工作于截止区；否则，应进一步比较UGD或UDG与UGS(off)的大小以判断管子是否发生预夹断状态，发生预夹断后管子工作于放大区，反之处于可变电阻区；对于增强型FET，存在重要参数UGS(th)。比较UGS与UGS(th)大小，一旦比较结果确定沟道夹断，则管子工作于截止区；否则，应进一步比较UGD或UGS(th)与UGS(th)的大小以判断管子是否发生预夹断状态，发生预夹断后管子工作于放大区，反之处于可变电阻区。
   据上述分析步骤，可求解如下：
   (1)UEB=[0-(-0.2)]V=0.2V＞0，发射结正向偏置；UCB=[-3-(-0.2)]V=-2.8V＜0，集电结反向偏置，可见该管为工作于放大区的锗管。
   (2)UBE=(0.7-0)V=0.7V＞0，发射结正向偏置；UBC=(0.7-0.3)V=0.4V＞0，集电结正向偏置，可见该管为工作于饱和区的硅管。
   (3)UCS=UG-US=[-4.8-(-2)]V=-2.8V＞UCS(off)=-3V，沟道未被夹断，UDS=UD-US=[5-(-2)]V=7V＞0，有漏极电流ID。
   考虑到UCD=(-4.8-5)V=-9.8V＜UCS(off)=-3V，说明沟道处于发生预夹断后的状态，可见该管工作于放大区。
   (4)UCS=(-4.8-0.2)V=-5V＜UCS(th)=-3V，沟道已开启，UDS=UD-US=(-7-0.2)V=-7.2V＜0，有漏极电流ID。考虑到UDG=[-7-(-4.8)]V=-2.2V＞UGB(th)=-3V，说明沟道尚未发生预夹断，可见该管工作于可变电阻区。
   (5)UGS=(1-0)V=1V＜UGS(off)=3V，沟道未被夹断，UDS=UD-US=(-10-0)V=-10V＜0，有漏极电流ID。考虑到｜UDG｜=(-10-1)V=11V＞UGS(off)=3V，说明沟道处于发生预夹断后的状态，可见该管工作于放大区。
【答案解析】对于场效应晶体管，不论是N沟道，还是P沟道，可以根据｜uDG｜是否大于｜UGS(off)｜或｜UGS(th)｜来判断管子是否工作于放大区。
   若｜uDG｜＞｜UGS(off)｜或｜UGS(th)｜，则场效应管工作于放大区。
   若｜UDG｜＜｜UGS(off)｜或｜UGS(th)｜，则场效应管工作于可变电阻区。