【正确答案】比较情况见下表。 BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT的对比 器 件对触发信号波形的要求开关频率单极或 双极主要优点主要缺点 BJT (电流型全控器件)正待续基极电流控制开通，基极电流为0则关断中双极通态压降小，通态损耗小驱动功率大，频率低 SCR (电流型半控器件)正脉冲门极电流控制开通，触发信号不能控制关断低双极通态压降小，通态损耗小驱动功率大，频率低 GTO (电流型全控器件)正脉冲门极电流控制开通,负脉冲门极电流(较大)控制关断低双极通态压降小,通态损耗小驱动功率大,频率低 P-MOSFET (电压型全控器件)正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断高单极输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高通态压降大(通态损耗大),电压、电流定期额低 IGBT (电压型全控器件)正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断较高双极输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高通态压降大(通态损耗大) MCT (电压型全控器件)正脉冲电压控制开通，负脉冲电压控制关断较高 (低于IGBT)双极输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高通态压降大(通态损耗大) SIT (电压型全控器件)持续电压控制断、通高单极输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高通态压降大(通态损耗大)