问答题
假定将再结晶温度定义为退火1h内完成转变量达95%的温度，已知获得95%转变量所需要的时间：
式中，N，G分别为再结晶的形核率和长大线速度，
。
①根据上述方程导出再结晶温度TR与G0，N0，QR及Qn的函数关系。
②说明下列因素是怎样影响G0，N0，QR及Qn的：
预变形度；
原始晶粒度；
式中，N，G分别为再结晶的形核率和长大线速度，
。①根据上述方程导出再结晶温度TR与G0，N0，QR及Qn的函数关系。
②说明下列因素是怎样影响G0，N0，QR及Qn的：
预变形度；原始晶粒度；
【正确答案】①
[*]
将T=TR，t0.95=1代入，得
[*]
故[*]
②一次再结晶的驱动力是晶体经变形后的畸变能。晶体从畸变后的高能态向退火状态的低能态转变是一自发趋势。但这一能态的变化要求原子越过一势垒△E，势垒的高度取决于变形后的晶格畸变能，当畸变能高时，△E减小，则形核和长大激活能Qn，Qg均降低，再结晶速度便加快。因此，一切影响变形后畸变能的因素均会影响Qn，Qg及TR。
由上述分析，在一定形变度范围内，预先变形程度越高，原始晶粒越细，则形变后畸变能越大，Qn，Qg越低。 金属的纯度对Qn，Qg的影响可以从两方面考虑，一方面杂质会增加畸变能，使Qn，Qg降低；另一方面，杂质也会阻碍界面迁移，使Qn，Qg增高；两个相反的作用同时存在，看何者占主导地位。N0G0只与金属的本性有关，预变形度、原始晶粒尺寸和金属纯度对其无多大影响。
③由②的分析可知，增大预变形度，细化原始晶粒，将使TR下降。
杂质对TR的影响具有双重性，若杂质的存在使畸变能增大这一因素占主导地位，则纯度较低的金属，其TR较低；反之，若杂质的存在使界面迁移减慢这一因素占主导地位，则纯度越高的金属，其TR越低。不同的杂质原子对TR的影响不同，一般来说，少量杂质原子的存在会阻碍金属的再结晶，从而使TR上升，其提高的程度因杂质种类不同而异。
[*]
将T=TR，t0.95=1代入，得
[*]
故[*]
②一次再结晶的驱动力是晶体经变形后的畸变能。晶体从畸变后的高能态向退火状态的低能态转变是一自发趋势。但这一能态的变化要求原子越过一势垒△E，势垒的高度取决于变形后的晶格畸变能，当畸变能高时，△E减小，则形核和长大激活能Qn，Qg均降低，再结晶速度便加快。因此，一切影响变形后畸变能的因素均会影响Qn，Qg及TR。
由上述分析，在一定形变度范围内，预先变形程度越高，原始晶粒越细，则形变后畸变能越大，Qn，Qg越低。 金属的纯度对Qn，Qg的影响可以从两方面考虑，一方面杂质会增加畸变能，使Qn，Qg降低；另一方面，杂质也会阻碍界面迁移，使Qn，Qg增高；两个相反的作用同时存在，看何者占主导地位。N0G0只与金属的本性有关，预变形度、原始晶粒尺寸和金属纯度对其无多大影响。
③由②的分析可知，增大预变形度，细化原始晶粒，将使TR下降。
杂质对TR的影响具有双重性，若杂质的存在使畸变能增大这一因素占主导地位，则纯度较低的金属，其TR较低；反之，若杂质的存在使界面迁移减慢这一因素占主导地位，则纯度越高的金属，其TR越低。不同的杂质原子对TR的影响不同，一般来说，少量杂质原子的存在会阻碍金属的再结晶，从而使TR上升，其提高的程度因杂质种类不同而异。
【答案解析】