问答题 Cu2O材料的能隙与GaP或3C-SiC相当，为什么GAP或3C-SiC是半导体材料，而Cu2O就不是?
【正确答案】因为Cu2O是离子晶体，它的晶格缺陷很多，很难得到缺陷浓度低于本征激发浓度的材料，因此，不能像GaP和3C-SiC一样作为半导体材料进行应用。
【答案解析】