动态存储器是采用“读出” 的方式进行刷新。 因为 MOS 存储单元在读出过程中恢复了 MOS 管栅极电容电荷， 就可以保持原单元的内容， 所以读出过程就是刷新过程。 一般来说在刷新过程中只改变行选地址，每次刷新一行。 依次对存储器的每一行进行读出， 就可以完成对整个 DRAM 的刷新。 每次刷新一行只是从宏观的操作地址变化来说的， 对于每一行的各个存储单元， 要分别读出进行刷新。