【正确答案】入射粒子与硅晶体发生碰撞后，将形成空位一间隙原子对。这些空位一间隙原子对在室温下是稳定的，常称弗伦克尔缺陷。缺陷的产生主要决定于入射粒子的类型及其能谱，硅材料点阵特性(包括位错、微量杂质等)，辐射时的温度。例如：电子和质子在半导体中经受到卢瑟福散射，将给硅晶格点阵原子一个比较小的平均能量。辐射损伤的第一阶段产生均匀分布的弗伦克尔缺陷，其后空位形成复合中心。在硅中的空位和氧原子相互作用时产生A中心，它处于导带下0.18eV；硅中空位也可以和磷、砷等原子相互作用，产生E中心。上述两者均是较有效的复合中心。空位可以成对地出现，形成双空位，其结果在价带以上0.30eV处产生一个复合能级。又如，中子在半导体中经过硬球散射，给硅原子一个比较大的平均能量，致使其和邻近原子继续碰撞，直到所有有关原子的能量减少到低于位移值为止。高能点阵原子的平均自由程是小的，所以这些能量被积累在晶格的小体积中。它通常涉及几百个原子，因此缺陷云集成堆，成为缺陷群。群心包含大量空位。实践表明，缺陷群起复合中心的作用。
   当质子、电子、X射线、γ射线穿进硅晶体，并和硅中的电子相互作用，这些辐射粒子把能量传给电子，如果电子所获得的能量大于它的结合能时，电子就离开原来的运动轨道，成为自由电子，而原子变成带电离子，这一过程就称为电离辐射效应。电离辐射效应的实质是产生了电子—空穴对，有时甚至还产生二次电子或三次电子，它将使硅材料的电导率升高。电离能量可以起催化剂的作用，将改变材料的分子结构，引起材料的化学变化。