【答案解析】二者的异同点。
在突触传递过程中，发生在后膜上的电位变化称为突触后电位。根据突触后膜发生去极化或超极化，可将突触后电位分为兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。EPSP，即兴奋性突触后电位。其产生过程及相关机理如下：当突触前膜释放的兴奋性递质与突触后膜上受体结合后，使后膜对Na ⁺ 、K ⁺ 等离子，尤其是：Na ⁺ 的通透性增高，导致突触后膜除极化产生兴奋性突触后电位(EPSP)，具有局部电位特点。EPSP经过总和，在轴突始段首先达到阈值，产生动作电位，表现为兴奋效应。IPSP，即抑制性突触后电位。当突触前膜释放的抑制性递质与突触后膜上受体结合后，使后膜对Cl ^- 、K ⁺ 等离子，尤其是Cl ^- 的通透性增高，导致突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位。IPSP使突触后神经元兴奋性降低，表现为抑制效应。
EPSP与IPSP相同点：二者均为局部电位，可进行时间和空间的总和。
二者的差异如下：

	IPSP	EPSP
突触前神经元 递质 突触 后膜离子 后膜电位 产生结果	兴奋性 兴奋性 兴奋性 钠离子(主要)和钾离子 去极化 突触后神经元易产生动作电位(兴奋)	抑制性(中间神经元) 抑制性 抑制性 氯离子(主要)和钾离子 超极化 突触后神经元难产生动作电位(抑制)

清楚掌握两种突触后电位的基本知识及二者异同。另外，EPSP的产生可能还有Ca ²⁺ 的参与。 [考点] EPSP与IPSP的概念、功能；