问答题
已知P沟道耗尽型MOSFET的参数为K
p
=0.0mA/V
2
，V
P
=0.5V，i
D
=-0.5mA(假定正向为流进漏极)。试求此时的预夹断点栅源电压V
GS
和漏源电压v
DS
等于多少？
【正确答案】
在预夹断点或饱和区，漏极电流为
i
D
=-K
P
(V
GS
-V
P
)
2
即有
-0.5=-0.2(v
GS
-0.5)
2
由此得
V
GS
=-1.08(V)
为使这-P沟道MOSFET工作于饱和区，必须有
v
DS
≤(v
GS
-V
P
)=-1.08-0.5=-1.58(V)
【答案解析】
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