【正确答案】在突触传递过程中，发生在后膜上的电位变化称为突触后电位。根据突触后膜发生去极化或超极化，可将突触后电位分为兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。EPSP，即兴奋性突触后电位。其产生过程及相关机理如下：当突触前膜释放的兴奋性递质与突触后膜上受体结合后，使后膜对Na+、K+等离子，尤其是Na+的通透性增高，导致突触后膜除极化产生兴奋性突触后电位(EPSP)，具有局部电位特点。EPSP经过总和，在轴突始段首先达到阈值，产生动作电位，表现为兴奋效应。IPSP，即抑制性突触后电位。当突触前膜释放的抑制性递质与突触后膜上受体结合后，使后膜对Cl-、K+等离子，尤其是Cl-的通透性增高，导致突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位。IPSP使突触后神经元兴奋性降低，表现为抑制效应。 EPSP与IPSP相同点：二者均为局部电位，可进行时间和空间的总和。 二者的差异如下： IPSP EPSP 突触前神经元 兴奋性 抑制性(中间神经元) 递质 兴奋性 抑制性 突触 兴奋性 抑制性 后膜离子 钠离子(主要)和钾离子 氯离子(主要)和钾离子 后膜电位 去极化 超极化 产生结果 突触后神经元易产生动作电位(必奋) 突触后神经元难产生动作电位(抑制) 清楚掌握两种突触后电位的基本知识及二者异同。另外，EPSP的产生可能还有Ca2+的参与。

【答案解析】[考点] EPSP与IPSP的概念、功能； 二者的异同点。