动态存储器芯片的正常访问周期为60us，其中，输入行地址和列地址分别需要20ns。如果行地址不变，只改变列地址，则可以节省输入行地址的时间。对于一个容量为64MB的芯片，全部存储单元都访问一遍至少需要(3)s。