【正确答案】(1)MESFET工艺简单
   (2)M-S工艺允许把沟道长度做得更短，使得结电容更小，有利于提高器件的开关速度和工作频率
   (3)MESFET多用砷化镓材料制作，砷化镓的电子迁移率大约是硅的6倍，因此，可以制造出高频、高速器件