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工学电子科学与技术
1结构推理已知二极管的IS=10-15A，常温下UT=26mV，试求出二极管两端电压UD为0.7V时的直流电阻RD和交流电阻rd。
2结构推理反馈放大器在什么条件下会自激?如何判断反馈放大器能否稳定工作?如何防止放大器自激?
3结构推理复合管如何构成?应注意什么问题?什么叫准互补推挽电路?它有什么优点?
4结构推理弄清下列概念的含义及其区别：结型与绝缘栅型；N沟道和P沟道；耗尽型与增强型；夹断与预夹断；夹断电压与开启电压；电流控制与电压控制。
5结构推理何谓线性失真?它与非线性失真有什么区别?如果单频正弦信号通过放大器时，有无线性失真和非线性失真问题?
6结构推理什么叫增益交界频率、相位交界频率?什么叫增益裕度、相位裕度?
7结构推理试比较晶体三极管和场效应管的特点。
8结构推理何谓放大电路的频率响应?影响放大器频率响应的因素有哪些?
9结构推理直流电源通常由几部分组成?各部分的作用是什么?
10结构推理什么是静态工作点?如何设置静态工作点?如果静态工作点设置不合适，将会出现什么问题?
11结构推理温度对晶体三极管的参数有何影响?
12结构推理已知电路中晶体管类型及各极的直流电位分别为下列各组数据： (1)PNP管，UB=-0.2V，UC=-3V，UE=0V； (2)NPN管，UB=0.7V，UC=0.3V，UE=0V； (3)NJFET管，UC=-4.8V，US=-2V，UD=5V，UGS(off)=-3V； (4)增强型PMOSFET管，UG=-4.8V，US=UB=0.2V，UD=-7V，UGS(th)=-3V： (5)耗尽型PMOSFET管，UG=1V，US=UB=0V，Ud=-10V，UGS(off)=3V。 试确定各组数据所对应的晶体管工作于特性曲线的何种区域，对工作于放大区域的BJT，指明管子材料；对FET指明对应的沟道状态。
13结构推理指出下面的说法是否正确?为什么? (1)既然在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数Af≈1/B，与放大器件的参数无关，则放大器件的参数没有什么实用意义。 (2)用示波器观察输出波形产生了非线性失真，此时引入负反馈，可以看到输出幅度明显下降，且波形不失真，这说明了负反馈改善了非线性失真。
14结构推理负反馈可以改善放大器的哪些性能?为什么?所付出的代价是什么?
15结构推理乙类推挽功率放大器的交越失真指的是什么?产生原因何在?如何消除?
16结构推理什么是放大电路的幅频特性和相频特性?什么叫波特图?怎样画放大电路的渐近线波特图?
17结构推理写出下列各类场效应管工作在放大状态下的uGS、UDS的极性。 (1)N沟道结型FET。 (2)P沟道结型FET。 (3)N沟道耗尽型MOSFET。 (4)P沟道耗尽型：MOSFEET。 (5)N沟道增强型MOSFET。 (6)P沟道增强型MOSFET。
18结构推理势垒电容与普通金属板电容有何不同?变容二极管应如何应用?
19结构推理与前置放大器相比，功率放大器有何特点?
20结构推理由PNP组成的共射放大器，uCE出现顶部失真的原因是什么?如何消除?若顶部和底部同时出现失真，有什么办法能消除?