1简答题用分辨时间为350μs的GM计数管测量放射性样品，发现实际测量计数率n是真实计数率m的1/2，请根据漏计数校正的两个模型分别给出真实的计数率m。(ln2=0.693)
2简答题哪些主要因素导致PN结漏电流的产生？
3简答题用正比计数管测量辐射如示意图，画出测得的微分能谱
4简答题简述正比计数管中的雪崩现象。
5单选题造成G-M管死时间的原因是
6单选题用电离辐射探测器测量γ射线能谱时，在全能峰与康普顿边缘之间除了本底造成的计数外，下列哪个因素产生计数？
7分析题
8分析题
9单选题气体探测器在测量电离辐射时，产生的电压脉冲信号是由
10单选题下列哪个效应产生γ射线能谱上的全能峰？
11单选题在半导体探测器中，PN结区的厚度决定探测器的探测效率和测量能量范围，如何增加结区的厚度？