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工学
问答题晶带轴定律
问答题有一bcc晶体的[111]滑移系的临界分切力为60MPa，试问在[001]和[010]方向必须施加多少的应力才会产生滑移?
问答题下图绘出了三类材料——金属、离子晶体和高分子材料之能量与距离关系曲线，试指出它们各代表何种材料？并说明三种材料所具有的基本性能与原子键之间的关系。
问答题在制造Al2O3陶瓷时，原料的粒度为2μm。在烧结温度下保温30min，测得晶粒尺寸为10μm，则在同一烧结温度下保温2h后，晶粒尺寸为多少μm?为抑制晶粒生长在原料粉末中加入0.2%MgO，并在同样的烧结温度下保温2h，则晶粒尺寸为多少μm?
问答题W在20℃时每1023个晶胞中有一个空位，从20℃升温至1020℃时，点阵常数膨胀了(4×10-4)%，而密度下降了0.012%，求W的空位形成能和形成熵。
问答题有如图所示的一个位错环。分析位错环各点上位错的属性，并综合论述刃型位错和螺型位错的异同点。
问答题在图示的固态完全不互溶的三元共晶相图中，a，b，c分别是组元A，B，C的熔点，e1，e2，e3分别是A-B，B-C，A-C二元共晶转变点，E为三元共晶转变点(已知Ta＞Tc＞Tb＞Te3>Te1＞Te2＞TE)，(1)画出以下不同温度(T)下的水平截面图：a)Tc＞T＞Tbb)Te3＞T＞Te1c)Te2＞T＞TEd)T≤TE(2)写出图中O合金的凝固过程及其室温组织。
问答题假定在SiO2中加入训(Na2O)=10%的Na2O，请计算氧与硅之比值。如果ω(O):ω(Si)≤2.5是玻璃化趋势的判据，则形成玻璃化的Na2O最大量是多少?
问答题亚共析钢TTT图如图9-14所示，按图中所示的不同冷却和等温方式热处理后，分析其形成的组织并作显微组织示意图。
问答题在NaCl晶体中掺有少量的Cd2+，测出Na在NaCl的扩散系数与的关系，如图4-16所示。图中的两段折线表示什么，并说明D(Nacl)与不成线性关系的原因。
问答题根据实际测定lgD与的关系图(见图4-11)，计算单晶体银和多晶体银在低于700℃温度范围的扩散激活能，并说明二者扩散激活能差异的原因。
问答题写出镍(Ni)晶体中面间距为0.1246nm的晶面族指数。镍的点阵常数为0.3524nm。
问答题FeO具有NaCl型结构。假设Fe与O的原子数目相同，试计算其密度。 (已知Fe与O的相对原子量为55.8和16.0，铁的离子半径r=0.074nm，氧的离子半径R=0.140nm)
问答题已知烧结Al2O3的孔隙度为5%，其E=370GPa。若另一烧结Al2O3的E=270GPa，试求其孔隙度。
问答题
已知铜原子的原子半径为0.25nm，画出铜晶体的一个晶胞，并完成下列工作：
问答题
在图22-2所示相图中：
问答题设有一个平均粒径为5μm的粉末压块，经2h烧结后，颈部增长率x/r=0.1。如果不考虑晶粒生长，将坯体烧结至颈部增长率x/r=0.2时，试比较分别通过扩散传质和流动传质方式，各需要多少时间。
问答题全位错与不全位错
问答题由600℃降至300℃时，Ge晶体中的空位平衡浓度降低了6个数量级，试计算Ge晶体中的空位形成能。
问答题fcc和bcc金属在塑性变形时，流变应力与位错密度ρ的关系为，式中τ0为没有干扰位错时使位错运动所需的应力，也即无加工硬化时所需的切应力，G为切变模量，b为位错的伯氏矢量，α为与材料有关的常数，α=0.3～0.5。实际上，此公式也是加工硬化方法的强化效果的定量关系式。若Cu单晶体的τ0=700kPa，初始位错密度ρ0=105cm-2，则临界分切应力为多少?已知Cu的G=42×103MPa，b=0.256nm，[111]eu单晶产生1%塑性变形所对应的σ=40MPa，求它产生1%塑性变形后的位错密度。