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工学电子科学与技术
填空题
把D触发器转换为触发器的方法是（ ）。
填空题
图示电路中，当开关S断开时，Uab=_____，S闭合时，Iab=_____。
填空题
在VerilogHDL中，优先级最高的操作符是（ ）和（ ），优先级最低的操作符是（ ）。
填空题同“非门”相比，反相施密特触发器的滞回特性用于______(①提高抗干扰性：②提高转换灵敏度)。
填空题在Verilog HDL设计文件中，用______来表示高阻输出状态。
填空题非线性电感器的韦-安特性为ψ=10-2(i-i3)，试求当i=0.5A时的静态电感为______，动态电感为______。
填空题
图所示电路的节点方程应为______________、______________。
填空题
已知Intel 2114是1K×4位的RAM集成电路芯片，它有地址线（ ）条，数据线（ ）条。
填空题
采用ISP器件进行逻辑设计的一般步骤包括（ ）、（ ）、（ ）、（ ）、（ ）、（ ）、（ ）等过程。
填空题
图示电路中，电压源电压恒定，i(0-)=0，t=0时开关S闭合，则t1=0.1s时的电流i(t1)=________A，uL(t)达到5V时的时间t=________s。
填空题
MOS管的饱和区与非饱和区的界线满足（ ）。
填空题列出两种可编程逻辑器件：( )、( )。
填空题正弦量的三要素是______、______、______。
填空题
逻辑函数可化简为（ ）。
填空题
施密特触发器具有（ ）现象，又称（ ）特性；单稳触发器最重要的参数为（ ）。
填空题1______
填空题
网络函数 的极点、零点反映该网络冲激响应的性质，亦即反映出该电路时域响应的动态过程中自由分量的变化规律，具体来说有：
⑴ 当极点 位于 平面虚轴上， 是正弦函数为_____________；
⑵ 当 位于 平面实轴上， 按_____________变化；
⑶ 当 位于 平面右半平面， 的包络线是_____________的指数曲线，认为电路是_____________；
⑷ 当 位于 平面左半平面， 的包络线是_____________的指数曲线，认为电路是_____________；
⑸ 愈靠近平面的虚轴，表示 增长或衰减_____________，即过渡过程_____________； 愈靠近平面的实轴，表示 振荡的频率_____________。
填空题已知Intel2732是4KB的ROM集成电路芯片，它有地址线______条，数据线______条。
填空题1______
填空题
PLD的每个输出是其输入的（ ）。