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工学电气工程
单选题由晶闸管构成的单相半控桥式整流电路，设输入电压为220V，控制角为30°，则输出电压为( )V。 A．92.368V B．184.736V C．297V D．148.5V
单选题可编程控制器采用( )的工作方式。 A．键盘扫描； B．I/O扫描； C．循环扫描。
单选题在P型半导体中，多数载流子是( )。 A．自由电子 B．空穴 C．空间电荷
单选题在中性点接地的三相四线制低压供电系统中，为了防止触发事故，对电气设备应采取( )措施。 (a)保护接零(中) (b)保护接地 (c)保护接零或保护接地
单选题在继电接触器控制电路中，断电延时继电器的常开延时断开的触点是( )。 A．通电时瞬时闭合，断电时延时打开； B．通电时延时闭合，断电时延时打开； C．通电和断电时均延时打开。
单选题晶体管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置关系是( )。 A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结反偏，集电结反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏
单选题某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为( )。 A．8位 B．9位 C．10位 D．11位
单选题
单选题在图Ⅰ-6所示整流滤波电路中，u1的频率f=50Hz，RL=1.2kΩ，为了得到经济而又较好的滤波效果，一般C值取( )。 A．30μF B．10μF C．100μF
单选题为减少变压器的空载电流，应选择导磁性能较好的铁心材料和( )。 A．增加副绕组匝数 B．加大铁心面积 C．减少原绕组匝数
单选题整流的目的在于( )。 A．把交流变成直流 B．把直流变成交流 C．把直流变成直流 D．把交流变成交流
单选题9．某电路中的NPN型硅晶体管，测得基极电位为5.3V，发射极电位为6V，集电极电位为9V，该晶体管处于( )。 A．截止状态 B．放大状态 C．饱和状态
单选题
触发器如图所示，可以制定该触发器状态为（ ）。
A、计数 B、保持 C、置1 D、置0
单选题
下面画出了三个晶闸管结构示意图，其中一个是正确的，两个是错误的，判断正确的一个是图（）。
单选题对于A/D转换器的分辨率，正确的描述方法是( )。 A．由转换时钟决定，与输入的模拟电压和A/D转换器的位数无关 B．由输入模拟电压的高低决定，与A/D转换器的位数无关 C．被转换的模拟电压越高，分辨率越高 D．A/D转换器的位数越多，分辨率越高
单选题某N沟道场效应管的开启电压UGS(th)=4V，其UGS=6V，UDS=12V，则该场效应管工作在( )。 A．可变电阻区 B．恒流区 C．截止区 D．无法判断
单选题在集成运算放大器中，各级之间常采用的耦合方式是( )。 A．电容耦合 B．变压器耦合 C．电感耦合 D．直接耦合
单选题下面几种存储器中，在不断电的情况下，存储单元的信息也可能丢失的是( )。 A．静态RAM B．动态RAM C．EEPROM D．EPROM
单选题
下图所示可控整流电路中，已知，控制角，则晶闸管的导通角应为（ ）。
A、 B、 C、 D、
单选题两个相同位数的T形和倒T形的电阻网络D/A转换器，在转换速度上的差别是( )。 A．T形快于倒T形 B．倒T形快于T形 C．两种的速度相同 D．以上说均不正确