问答题图所示电路中，已知uS(t)=100cos103tV，uS(t)与i(t)同相位，求C的值与i(t)。图1
问答题选定u，i参考方向一致，电感元件端电压为u(t)=180sin(1200t+30°)V，电感电流i(t)=0.05sin(1200t+ψi)A，试求电感L的值和电感电流的初相ψ1。
问答题如附图4-7所示电路中，电路原已处于稳定状态。当t=0时开关S闭合，试求t≥0时的电流i1、i2。
问答题把下列十进制数转化成二进制数(保留4位小数)：
问答题若已知一端口电路的电压、电流为：
u=10sin(10
3
t-20°)V，i=2cos(10
3
t-50°)A
试画出它们的向量图，并求出他们的相位差。
问答题已知X=-(21)10，Y=+(37)10，用8位字长计算X+Y，X-Y(结果用二进制补码给出)。
问答题三相电路如下图所示，对称三相电源通过输电线给三相对称负载(感性)输电。输电线阻抗Z1=1+j1Ω，负载端线电压为UA"B"，=380V，负载功率，功率因数，试求：(1)电源的线电流。(2)电源端线电压。(3)功率表的读数。(4)说明由此能否求出电源的无功功率，为什么?
问答题(华南理工大学2009年考研试题)如图4一97所示电路，已知IS=1A，R1=8Ω，R2=R3=2Ω，则电流源IS发出的功率为_________。
问答题如图所示电路，已知uS(t)=6cos2t，t＜0，电路已处于稳态，t=0时开关S打开，求u(t)，t≥0。
问答题分析下面的Verilog HDL源程序，说明该代码描述的电路的功能。 module mult(cout,a,b); parameter Size=8; input[size:1] a,b; output[2*size:1] cout; reg[2*size:1]a_reg,cout; reg[size:1] b_reg; integer n; always @(a or b) begin cout=0; a_reg=a: b_reg=b; for(n=1;n＜=Size;n:n+1) begin if(b_reg[1]) begin cout=cout+a_reg; a_reg=a_reg＜＜1; b_reg=b_reg＞＞1; end else begin a_reg=a_reg＜＜1; b_reg=b_reg＞＞1; end end end endmodule
问答题(哈尔滨工业大学2006年考研试题)图9—15所示电路中，当R=1Ω时，U=7．5V；当R=2Ω时，U=12V。求R为何值时可以获得最大功率，其最大功率Pmax为多少?
问答题电路如下图所示，求：
问答题题图所示电路中，u～为角频率为ω的正弦交流电压源，U0为直流电压源。给定R1=1Ω，R2=2Ω，ωL1=1Ω，ωL2=2Ω，，ωM=1Ω。用指示有效值的电压表、电流表测得电容两端电压为12V，电容中电流为2.5A。分别求出电压源电压u～的有效值U～，U0以及每一电源发出的有功功率。
问答题某含变压器的电路如图(a)所示，已知电压源，负载阻抗ZL=-j30Ω。试求：电流和电压。
问答题求题图所示电路中电压uC的有效值UC。
问答题有如图所示的电路，用节点法求I1、I2、I3及受控源吸收的功率。
问答题一个4096位DRAM，存储矩阵采用64行×64位结构。设每个存储单元刷新时间为400ns，问需多少时间才能将全部存储单元刷新一遍。
问答题下图所示的电路含有理想运算放大器，试求输出电压uo。
问答题试用二进制补码运算计算下列各式(给出的4位二进制数为不带符号的绝对值)。 (1) 1001+0101 (2) 1011+1010 (3) 1001-0101 (4) 1011-1010 (5) 1001-1101 (6) 1011-1110 (7) -1001-0101 (8) -1011-1010
问答题(浙江大学2010年考研试题)图18—2所示电路中，已知，R=100Ω，无损耗线l1特征阻抗Zc1=100Q，线长；无损耗线l2和l3特征阻抗均为Zc2=200Ω，l2线长，设电信号在所有无损线中的传播速度(相位移速度)均为v=3×108m／s；阻抗Z=100Ω，；欲使l1中无反射波，问l3最短应取多长?此时电流i2(t)为多少?