问答题
问答题(华中科技大学2006年考研试题)在图7一26(a)所示的电路中，N0为无源线性电阻网络。当eS(t)=2ε(t)V时，电路的零状态响应为uC(t)=(6一6e一2t)ε(t)V。若将图7一26(a)中的电源转换为3δ(t)V的电压源，电容换为3H的电感，如图7一26(b)所示，求零状态响应uL(t)。[ε(t)、δ(t)分别为单位阶跃函数和单位冲激函数。]
问答题简述超高清晰度成像(HRI)建议的内容。
问答题(中南大学2009年考研试题)如图7一62所示电路，选uc和iL为状态变量，试列写该电路的状态方程。
问答题试列写附图4-13所示电路的状态方程。
问答题MOS门电路中为什么用MOS管作为负载?
问答题电路如图所示，一直电压表读数为20V，且同相，试求电感的感抗XL和电压源电压有效值US。
问答题(华中科技大学2007年考研试题)如图7一2l所示电路已处于稳态。开关S在t=0时闭合，求通过开关的电流ik(t)，t＞0。
问答题已知一个晶体三极管在发射极开路时测得集电极电流IC=2μA，IB=40μA时IE=2mA。试计算该管子的ICBO、ICEO电流放大系数β及α的值。
问答题比较块交织和卷积交织的优、缺点。
问答题(四川大学2004年考研试题)如图4一69所示电路，N为线性含源电阻网络，IS1=1A、US2=1V，当开关S1、S2都打开时安培表的读数为1A；当S1闭合、S2打开时，安培表的读数为1．5A；当S1、S2都闭合时，安培表的读数为1A。试求当IS1=3A、US2=5V时，安培表的读数。
问答题利用KCL与KVL方程求下图中电流I。
问答题试指出如何使用三用表电阻挡判别双极型晶体管的三个电极和类型。
问答题列写下图所示电路的状态方程，并整理成标准形式，其中X=[uC3iL4iL5]T。
问答题(南京航空航天大学2007年考研试题)如图7一120所示电路，已知，L1=1H，L2=0．5H，M=0．25H，求iC。
问答题电路如图所示，试求电压U及电流I。
问答题电路如图所示。
问答题图1所示电路处于稳态，直流电压源Us=10V，L1=L2=1H，R=2Ω。t=0时开关打开，用复频分析法求t≥0时的电感电流i1(t)。
问答题电路如图所示，t=0时开关打开，打开前电路已处稳态，试求：t≥0时的i(t)、u(t)。
问答题(河海大学2006年考研试题)如图7一110电路中开关S闭合前电路已稳定，求S闭合后2Ω电阻中电流随时间变化的规律iR(t)。