填空题设ROM的地址为A0A1…A7，输出为Y0～Y3，该ROM的容量为( )bit。
填空题
装配准备通常包括（ ）、（ ）、线扎的制作及组合件的加工等。
填空题
数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两类：（ ）、（ ）。
填空题
用Verilog HDL行为描述方式实现的基本RS触发器不存在（ ）现象。
填空题约束项是______的变量取值组合，其值总是等于0。
填空题
图示电路中，u1与u2的导数表达式分别为u1=__________________________和u2=____________________；相量表达式分别为____________________________和______________________________。
填空题将下列各组数按从大到小的顺序排列起来。
填空题1______
填空题随机存储器RAM在掉电后数据将______。
填空题单稳态触发器进入暂态的时刻中______(①电路参数；②触发信号)决定，而暂态持续时间由______(①电路参数；②触发信号)决定。
填空题
石英晶体多谐振荡器可以产生（ ）的时钟脉冲。
填空题
按计数器中各触发器状态更新不同，可将计数分为（ ）和（ ）两种类型。
填空题
产生（ ）的电路称为顺序脉冲发生器。
填空题1______
填空题
把D触发器转换为触发器的方法是（ ）。
填空题
图示电路中，当开关S断开时，Uab=_____，S闭合时，Iab=_____。
填空题
在VerilogHDL中，优先级最高的操作符是（ ）和（ ），优先级最低的操作符是（ ）。
填空题同“非门”相比，反相施密特触发器的滞回特性用于______(①提高抗干扰性：②提高转换灵敏度)。
填空题在Verilog HDL设计文件中，用______来表示高阻输出状态。
填空题非线性电感器的韦-安特性为ψ=10-2(i-i3)，试求当i=0.5A时的静态电感为______，动态电感为______。