问答题假设所有的价电子都对电流有贡献，①计算Cu中电子的迁移率和②当在100cm长的铜线上加以10V的电压时，电子的迁移速率(铜的电导率为5.98×105(Ω·cm)-1)。
问答题包析反应和共析反应；
问答题晶体结构 1．(以体心立方晶胞为例)描述晶体结构(晶胞)几何特征的常用参数有哪些？ 2．在面心立方晶体结构晶胞中画出一个最密排方向并标明晶向指数；再画出过该方向的两个不同的低指数(简单)晶面，写出对应的晶面指数。这两个面和与其平行的密排方向构成什么关系？
问答题分析层错能对金属热塑性变形的影响。
问答题1．写出图a(立方晶体)中ED、C′F晶向指数和ACH、FGD′晶面指数，并求出由ACH、FGD′两个晶面构成的晶带轴；ACH晶面的晶面距。2．写图b(六方晶体)中GO′、F′D晶向指数和ADE′F′、HE'O′晶面指数。
问答题试画出立方晶体中的(123)晶面和晶向。
问答题标出面心立方晶胞中(111)面上各点的坐标，并判断是否位于(111)面上，然后计算方向上的线密度。
问答题分析原子扩散在金属材料中的作用。
问答题(A-B-C三元相图如图所示)1．划分分三角形。2．标出界线的性质(共熔界线用单箭头，转熔界线用双箭头)。3．指出化合物S1和S2的性质。4．说明E、F、H点的性质，并列出相变式。5．分析M点的析晶路程(表明液、固相组成点的变化，并在液相变化的路径中注明各阶段的相变化和自由度数)。
问答题非化学计量化合物结构缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小有关。试分析如果增大周围氧气氛的分压，非化学计量化合物Fe1-xO、Zn1+xO的密度将发生怎么样的变化？
问答题分析位错对金属材料性能的影响。
问答题请说明什么是全位错和不全位错，并请写出FCC、BCC和HCP晶体中的最短单位位错的柏氏矢量。
问答题Al单晶在室温时的临界分切应力τc=7.9×105Pa。若在室温下将铝单晶试样做拉伸试验时，拉伸轴为[123]方向，试计算引起该样品屈服所需施加的应力。
问答题试比较固相烧结与液相烧结之间的相同与不同之处，并讨论产生溶解一沉淀传质的条件与特点。
问答题固态相变时，设单个原子的体积自由能变化为，单位为J/cm3，临界转变温度T=1000K，应变能ε=4J/cm3，共格界面能σ共格=4.0×10-6J/cm2，非共格界面能σ非共格=4.0×10-5J/cm2，试计算：①△T=50℃时的临界形核功之比；②时的△T。
问答题本征半导体与掺杂半导体的导电机制有何不同？
问答题测得聚乙烯晶体厚度和熔点的实验数据如下： L/nm 28.2 29.2 30.9 32.3 33.9 34.5 35.1 36.5 39.8 44.3 48.3 Tm/℃ 131.5 131.9 132.2 132.7 134.1 133.7 134.4 134.3 135.5 136.5 136.7 试求晶片厚度趋于无限大时的熔点Tm∞。如果聚乙烯结晶的单位体积熔融热为△H=280J/cm3，问其表面能是多少?
问答题下图为Fe-W-C三元系的液相面投影图。写出1700℃、1200℃、1085℃的四相平衡反应式。选择一个合金成分其组织在刚凝固完毕时只有三元共晶。
问答题合金强化途径有哪些？各有什么特点？
问答题根据图8-9所示，Al-Mg-Mn系富Al一角的投影图，①写出图中两个四相反应。②写出图中合金Ⅰ和Ⅱ的凝固过程。