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理学物理学
问答题已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3，ND=1020cm-3，
问答题晶胞
问答题霍尔效应在半导体样品的测量中起什么作用?
问答题齐纳击穿
问答题简述禁带变窄效应；
问答题简述电导率与掺杂浓度及温度的关系。
问答题计算p型半导体的霍尔系数。
问答题表面复合速度
问答题pn结加正向偏压时，能带图有什么变化?正向电流由什么组成?
问答题禁带宽度
问答题什么是霍尔效应?霍尔系数如何定义?
问答题用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为gp，空穴寿命为τ。
问答题少子寿命
问答题p-n结势垒电容
问答题简单晶格
问答题过剩载流子与平衡载流子有什么差别?
问答题证明室温下有受主补偿的n型半导体的电导率满足下述关系：(式中ni为本征载流子浓度，是空穴与电子迁移率比值，ND和NA分别为施主和受主浓度，q是电子的电量)；
问答题面心立方晶格
问答题半导体的迁移率
问答题体心立方晶格