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理学物理学
问答题已知费米能级在禁带中，并且Ec-EF＞＞Ec是导带底能量。计算导带中的平衡电子浓度。
问答题什么是过剩载流子?过剩载流子一般由什么方法产生?
问答题在由n型半导体组成的MIS结构上加栅电压VG，分析其表面空间电荷层状态随VG变化的情况，画出其C-V曲线并解释之。
问答题原胞
问答题设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压，如图所示，p型硅接低电位，金属接高电位，使半导体表面层出现耗尽状态。
问答题p-n结
问答题简述塞贝克效应；
问答题空穴
问答题金属-半导体接触有哪两类?
问答题简述能带论；
问答题试用上式求轻度补偿时室温下的电导率公式；
问答题它们分别在什么情况下形成?
问答题间隙杂质
问答题本征吸收
问答题俄歇复合
问答题反型异质结
问答题本征半导体
问答题欧姆接触
问答题准费米能级
问答题金刚石结构