问答题肖特基势垒二极管
问答题用什么方法检测?
问答题简述半导体的压阻效应。
问答题简述半导体的光生伏特效应；
问答题简述霍耳效应；
问答题热载流子
问答题简述多能谷散射；
问答题推导出正向电流与外加偏压的关系。
问答题试推导本征载流子浓度的表达式：
问答题已知费米能级在禁带中，并且Ec-EF＞＞Ec是导带底能量。计算导带中的平衡电子浓度。
问答题什么是过剩载流子?过剩载流子一般由什么方法产生?
问答题在由n型半导体组成的MIS结构上加栅电压VG，分析其表面空间电荷层状态随VG变化的情况，画出其C-V曲线并解释之。
问答题原胞
问答题设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压，如图所示，p型硅接低电位，金属接高电位，使半导体表面层出现耗尽状态。
问答题p-n结
问答题简述塞贝克效应；
问答题空穴
问答题金属-半导体接触有哪两类?
问答题简述能带论；
问答题试用上式求轻度补偿时室温下的电导率公式；