问答题用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为gp，空穴寿命为τ。
问答题少子寿命
问答题p-n结势垒电容
问答题简单晶格
问答题过剩载流子与平衡载流子有什么差别?
问答题证明室温下有受主补偿的n型半导体的电导率满足下述关系：(式中ni为本征载流子浓度，是空穴与电子迁移率比值，ND和NA分别为施主和受主浓度，q是电子的电量)；
问答题面心立方晶格
问答题半导体的迁移率
问答题体心立方晶格
问答题晶格常数
问答题简述半导体的几何磁阻效应。
问答题受主能级
问答题晶格常数为a的一维晶格，其导带极小值附近能量为价带极大值附近能量为为电子的惯性质量，h=6.63×10-34，s为普朗克常数，，a=0.314nm，求1．禁带宽度；2．导带底电子有效质量；3．价带顶电子有效质量；4．价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。
问答题p型半导体MIS结构的理想C-V特性如下图，说明每一段的物理过程(I、II、IIIA、IIIB、IIIC)。
问答题平面正六方晶格如图所示，其矢量为：式中a为六角形两个平行对边间的距离。
问答题复式晶格
问答题半导体中深能级杂质
问答题已知半导体的能带为E(k) ，极小点在k=0。
问答题简并半导体