已选分类
工学
试题题型
填空题下图所示刚架各杆的刚度EI=常数，则A点的竖向位移为________。
填空题如图所示体系的计算自由度W=________。
填空题图(a)所示结构中e杆轴力为________。
填空题如图所示体系的计算自由度W=1，是几何________变体系；若在A点加一竖向链杆支座，则成为几何________变体系；若在A点加一固定铰支座，则成为________变体系。
填空题如图所示结构受两种荷载作用，则对应位置处的支座反力关系为：竖向反力：图(a)________图(b)；水平反力：图(a)________图(b)。(填“=”“＞”或“＜”)
填空题图(a)所示桁架结构中，a杆的内力FNa=________。
附图6-1所示电路中，R=5Ω，ωL=3Ω，。若，则图中电流表的示数为___________A，电压表示数为___________V。
电路如附图6-4所示，则电压U为__________V。
如附图6-2所示，已知I=1A，UAB=6V，则电阻R为___________Ω。
附图6-8(a)所示非线性电阻的电压、电流关系如图(b)所示，则电压U为_________。
电路如附图6-6所示，I2=10A，，则电流为_________，电压为_________。
电路如附图6-13所示，已知，则电路消耗的功率为__________。
如附图6—11所示对称三相电路中，已知电源线电压，线电流，第一组负载的三相功率PR=5．7kW，cosφ1=0．866(滞后)，则第二组星形连接负载的三相功率P2为__________。
单选题在放大电路中引入深度负反馈，一定可以______。
A.增加输入电阻
B.提高增益稳定性
C.降低输出电阻
D.提高共模抑制比
单选题关于迟滞比较器，下列描述哪个是正确的?______
A.迟滞比较器有两个比较点
B.在一般比较器中引入延时输出环节，就构成了迟滞比较器
C.迟滞比较器的灵敏度很高
D.迟滞比较器能抑制交越失真
单选题关于场效应管，下列描述哪个是正确的?______
A.N沟道JFET的输入电阻小于P沟道JFET的
B.MOSFET的输入电阻一般小于JFET的
C.场效应管是电流驱动型的
D.场效应管是电压驱动型的
单选题在功率放大器中，当输入信号为正弦波，输出幅度足够大时，______。
A.甲类最高效率为78.5%
B.甲乙类最高效率大于78.5%
C.乙类比甲类、甲乙类的效率都高
D.甲类效率最高
单选题在半导体二极管中，可以用于高频开关电路的是______。
A.硅稳压管
B.点接触二极管
C.面接触二极管
D.整流管
单选题由两个三极管组成的双端输入差动放大电路______。
A.具有较高的差模电压放大倍数和较低的共模电压放大倍数
B.能够有效降低输出电阻和增大输入电阻
C.具有较高的差模电压放大倍数和较高的共模电压放大倍数
D.具有较高的功率放大倍数和较低的失真
单选题关于隔离放大器，下列描述哪个是正确的?______
A.变压器可以用于低频信号的隔离放大
B.隔离放大器的共模抑制比很低
C.只要是小信号放大，都必须用隔离放大器
D.隔离放大器的电压放大倍数很高