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用于射频领域的MEMS无源LC滤波器设计研究

Design of a RF MEMS Passive LC Filter
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摘要 介绍了一种利用MEMS工艺实现的用于射频领域的无源LC低通滤波器的设计、仿真和制作.该低通滤波器(LPF)采用三阶Chebyshev最少电容原型结构,设计参数为:一3dB带宽为3GHz,插入损耗小于2dB.基于MEMS无源元件(电容和电感)的集总物理模型,实现了对LPF实际性能的等效电路仿真,同时进行了版图和结构的验证.利用MEMS工艺实现的低通滤波器,其一3dB带宽和通带内插入损耗分别为2.925GHz和1.2dB(在1GHz下),制作工艺与标准CMOS工艺兼容.
作者 方杰 刘泽文 陈忠民 刘理天 李志坚
机构地区 清华大学
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期173-175,共3页 China Mechanical Engineering
基金 国家重点基础研究发展计划资助项目(G1999033105)
关键词 射频 MEMS 无源滤波器 集总模型
分类号 TN385 [电子电信—物理电子学] TN713 [电子电信—电路与系统]
  • 相关文献

参考文献5

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中国机械工程
2005年 第z1期

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