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多孔碳化硅陶瓷的原位氧化反应制备及其性能(英文) 被引量:4

FABRICATION AND PROPERTIES OF POROUS SILICON CARBIDE CERAMICS BY AN IN-SITU OXIDIZING REACTION
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摘要 以SiC为陶瓷骨料,Al2O3作为添加剂,通过原位氧化反应制备了SiC多孔陶瓷,并对其氧化反应特性及性能进行了研究。结果表明:在1 300~1 500℃,随烧结温度的升高,SiC的氧化程度增加,SiC多孔陶瓷的强度逐渐增加,但开口孔隙率有所降低。莫来石相在1 500℃开始生成。当烧结温度升高到1 550℃时,莫来石大量生成,得到了孔结构相互贯通且颈部发育良好的莫来石结合SiC多孔陶瓷;由于在SiC颗粒表面上覆盖了致密的莫来石层,SiC的氧化受到抑制,开口孔隙率因而升高,SiC多孔陶瓷的强度因莫来石的大量生成而增加。由平均粒径为5.0μm的SiC,并添加20%(质量分数)Al2O3,经1 550℃烧结2 h制备的SiC多孔陶瓷具有良好的性能,其抗弯强度为158.7 MPa、开口孔隙率为27.7%。 Porous silicon carbide(SiC) ceramics were prepared in air from SiC by an in-situ oxidizing reaction technique using Al2O3 as additive.The oxidizing reaction characteristics and properties of the porous silicon carbide ceramics were studied.With the in-crease in sintering temperature from 1 300 ℃ to 1 500 ℃,the oxidation degree of SiC increases and the strength of the porous SiC ceramics increases gradually,while the open porosity decreases.Mullite phase appears at 1 500 ℃.A large amount of mullite is formed...
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期597-601,共5页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 中国科学院百人计划资助项目
关键词 碳化硅多孔陶瓷 氧化 反应烧结 莫来石结合 porous silicon carbide ceramics oxidation reaction sintering mullite bonding
  • 相关文献

参考文献3

  • 1J. H. She,Z. Y. Deng,J. Daniel-doni,T. Ohji. Oxidation bonding of porous silicon carbide ceramics[J] 2002,Journal of Materials Science(17):3615~3622
  • 2R. W. Rice. Evaluation and extension of physical property-porosity models based on minimum solid area[J] 1996,Journal of Materials Science(1):102~118
  • 3R. W. Rice. Comparison of stress concentration versus minimum solid area based mechanical property-porosity relations[J] 1993,Journal of Materials Science(8):2187~2190

同被引文献21

引证文献4

二级引证文献9

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