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ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述 被引量：6

Review of Experiment Investigation on Latent Failure of ESD on Microelectric Device
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摘要 静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义.
作者 祁树锋 杨洁 刘红兵 巨楷如 刘尚合
机构地区 军械工程学院静电与电磁防护研究所
出处 《军械工程学院学报》 2006年第5期27-31,共5页 Journal of Ordnance Engineering College
基金 国家自然科学基金重点资助项目(50237040)
关键词 ESD 微电子器件 潜在性失效
分类号 O441 [理学—电磁学]
  • 相关文献

参考文献16

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二级参考文献5

共引文献15

同被引文献44

引证文献6

二级引证文献22

军械工程学院学报
2006年 第5期

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