CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究

Field Emission of Carbon Nanotube Arrays Prepared by Chemical Vapor Deposition and Screen Printing

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摘要本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定.

作者穆辉张晓兵雷威娄朝刚朱春晖

机构地区东南大学电子工程系

出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期83-85,共3页 Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基金国家973计划(No.2003CB314706和No.2003CB314702) 教育部博士点基金(No.20030286003)和新世纪人才计划(NCET-04-0473)

关键词碳纳米管丝网印刷场发射 CVD

参考文献5

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真空科学与技术学报

2005年第z1期

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