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B在SiGe中的应变补偿作用 被引量：1

Strain Compensation in SiGe by Boron Doping
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摘要 用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.
作者 成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明
机构地区 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期39-41,共3页 半导体学报（英文版）
基金 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010),国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000036603)资助项目
关键词 SIGE 应变补偿 掺杂
分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献6

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  • 3[3]Tillack B,Zaumseil P,Morgenstern G,et al. Strain compensation in Si1-x Gex by heavy boron doping. Appl Phys Lett,1995,67(8):1143
  • 4[5]Baribeau J M,Rolfe S J. Characterization of boron-doped silicon epitaxial layers by X-ray diffraction. Appl Phys Lett,1991,58(19):2129
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  • 6[7]Holloway H,McCarthy S L. Determination of the lattice contraction of boron-doped silicon. J Appl Phys, 1993,73 (1):103

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献4

Journal of Semiconductors
2005年 第z1期

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