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氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究 被引量：1

Study of Synthesis of GaN powders and its structural properties
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摘要 在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
作者 肖洪地 马洪磊 薛成山 马瑾 宗福建 张希键 计峰 胡文容
机构地区 山东大学
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期221-223,共3页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金资助项目(90301002,90201025)
关键词 Ga2O3粉末 GaN粉末 氮化温度
分类号 TN304.2+3 [电子电信—物理电子学]
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参考文献19

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同被引文献1

引证文献1

功能材料
2004年 第z1期

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