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用于纳米光电子器件加工的纳米金属膜的制作 被引量:1

The Machining of Nano Metal Film Used in Nano Photoelectron Devices Fabrication
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摘要 在利用 Top- Down方式加工纳米电子器件和纳米光电子器件的研究中 ,纳米薄膜的制作和加工技术是一个关键环节。采用金属 Ti- SOS结构的纳米器件 ,Ti膜的厚度和成膜质量成为影响基于 AFM针尖诱导氧化加工 Ti纳米氧化线 /电路图形结构质量的重要因素。文中叙述了 Ti膜的制备和检测方法 ,给出了纳米 The fabrication technology of nano film is a key in the research of nano electron/photoelectron devices based on the Top Down machining.For the metal Ti SOS structure nano device,the thickness and characteristics of Ti film become very important factors in quality control of fabricating the Ti oxide line/circuit figures by AFM tip induced oxidation.In this paper,the preparation/test method of the Ti film and the anodic oxidation fabrication results under certain situation are presented.
出处 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期563-565,共3页 Chinese Journal of Scientific Instrument
基金 教育部天津大学南开大学共建项目 天津市自然基金项目 ( 0 13 60 2 111)
关键词 纳米器件 AFM针尖诱导氧化 Ti膜 Nano device AFM tip induced oxidation Ti film
  • 相关文献

参考文献3

  • 1[1]K.Matsumoto.STM/AFM nano-oxidation process to room temperature operated single electron transistor and other devices.Proceedings of the IEEE,1997,85(4):612.
  • 2[2]Matsumoto K, Ishii M,Segawa K,et al.. Room temperature operation of a single electron transistor made by the scanning tunneling microscope nano oxidation process for the TiOx/Ti system.Appl. Phys Lett,1996,68:34.
  • 3[3]Bubanja V, Matsumoto K, Gotoh Y. Single electron memory at room temperature:experiment and simulation.Jpn J Appl.Phys Lett.,2001,40:87.

同被引文献2

引证文献1

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