摘要
采用高温溶液法生长了掺质Ge4+含量不同的Ge :KTP系列晶体。研究了掺质Ge4+离子对KTP溶液性质的影响 ,发现掺质溶液体系更加稳定 ,易于生长出光学质量的单晶。用等离子体发射光谱测定了Ge4+离子在晶体中的含量 ,并计算出Ge4+离子在晶体中的分配系数 ,表明了Ge4+离子较容易进入晶格格位。测定的Ge :KTP晶体的晶胞体积小于纯KTP晶体。测定的光透过曲线与纯KTP晶体的相似 ,Ge :KTP晶体仍保持了较高的光透过率与较宽的透光波段。Ge :KTP晶体的Raman谱与纯KTP晶体的相比有所不同 ,表明Ge4+取代了KTP晶格中P5 +的位置 ,形成了GeO4四面体。激光粉末倍频效应实验表明 ,Ge :KTP晶体的SHG效应随着掺质Ge4+含量的增大有下降的趋势。
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期121-,共1页
Journal of Synthetic Crystals
基金
国家自然科学基金
北京市自然科学基金资助项目
关键词
KTP晶体
非线性光学晶体
溶液晶体生长
Ge:KTP crystal
nonlinear optical crystal
crystal growth from solution
