摘要
光抽运垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)是近年来才开始研究的一种新型激光器,在很多领域中都具有广泛的应用前景,国内关于这种器件的研究报道还很少。通过分析器件的工作机理,给出热的产生过程和热效应对器件功率特性的影响;通过测量的外延片表面扫描电镜图像和光致发光谱的结果可以看出:增益材料有源区的热效应导致载流子寿命饱和,势垒内产生的电子空穴对没有足够的时间运动到量子阱中,而是在势垒层发生了非辐射复合。
OPS-VECSEL is a new type of semiconductor laser.The SEM photo of chip and PL spectrum at different pump power are shown.With increasing pump power,the thermal effects of the gain material causes the saturation of carrier lifetime,so the electron-hole pair created in the barriers have no enough time to rate to one of the well,and the non-radiative recombination happens in the barrier.
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2007年第z1期365-367,共3页
Infrared and Laser Engineering
基金
国家自然科学基金资助项目(60577003
60636020
60476029
60676034)
