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生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响

Effect of growth temperature on crystalline quality and surface morphology of In0.82Ga0.18As
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摘要 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微镜观察样品的表面形貌.X射线衍射用于表征材料的组分和结晶质量.结果表明,生长温度强烈地影响In0.82Ga0.18As材料的表面形貌和结晶质量.样品的表面形貌随生长温度的增加由典型的2D生长模式过渡到3D生长模式.X射线衍射曲线半峰全宽为1224、1454、2221、2527 S,分别对应于生长温度为410、430、450、470℃四个样品.此外,Ⅲ族源铟镓比值也随生长温度的增加从0.42增大到4.62.
作者 张铁民 缪国庆 金亿鑫 于淑珍 蒋红 李志明 宋航
机构地区 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 中国科学院研究生院
出处 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期28-30,共3页 Infrared and Laser Engineering
基金 国家自然科学基金重点项目(50632060) 国家自然科学基金面上项目(50372067)
关键词 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 生长温度
分类号 O471.4 [理学—半导体物理]
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参考文献6

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红外与激光工程
2007年 第z1期

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